Пръстен с покритие от танталов карбид

VeTek полупроводников пръстен с покритие от танталов карбид е изработен отграфити покрит с танталов карбид, комбинация, която използва най-добрите свойства на двата материала, за да осигури превъзходна производителност и дълголетие. 

TaC покритието върху пръстена с покритие от танталов карбид гарантира, че той остава химически инертен в реактивните атмосфери на пещите за растеж на кристали SiC, които често включват газове като водород, аргон и азот. Тази химическа инертност е жизненоважна за предотвратяване на всякакво замърсяване на растящия кристал, което може да доведе до дефекти и намалена производителност на крайните полупроводникови продукти. В допълнение, термичната стабилност, осигурена от TaC покритието, позволява на пръстена с покритие от танталов карбид да работи ефективно при високите температури, необходими за растежа на SiC кристали, обикновено надвишаващи 2000°C.

Механичните свойства на TaC значително намаляват износването и разкъсването на пръстена с покритие от танталов карбид. Това е от решаващо значение поради повтарящия се характер на процеса на растеж на кристалите, който излага водещия пръстен на чести термични цикли и механични натоварвания. Твърдостта и устойчивостта на износване на TaC гарантират, че пръстенът с покритие TaC поддържа своята структурна цялост и прецизни размери за дълги периоди от време, свеждайки до минимум необходимостта от чести смени и намалявайки времето за престой в производствения процес. 

Освен това, комбинацията от графит и TaC в пръстена с покритие от танталов карбид оптимизира управлението на топлината в пещта за отглеждане на кристали. Високата топлопроводимост на графита ефективно разпределя топлината, предотвратявайки горещите точки и насърчавайки равномерния растеж на кристалите. Междувременно, TaC покритието служи като термична бариера, предпазвайки графитното ядро ​​от директно излагане на високи температури и реактивни газове. Тази синергия между сърцевината и покриващите материали води до водещ пръстен, който не само издържа на тежките условия наРастеж на кристали SiCно също така повишава общата ефективност и качество на процеса.

VeTek полупроводников пръстен с покритие от танталов карбид е основен компонент в полупроводниковата индустрия, специално проектиран за растежа наКристалите от силициев карбид. Неговият дизайн използва силните страни на графита и танталовия карбид, за да осигури изключителна производителност при висока температура и високо напрежение. Покритието TaC осигурява химическа инертност, механична издръжливост и термична стабилност, всички от които са критични за производството на висококачествени SiC кристали. Като запазва своята цялост и функционалност при екстремни условия, пръстенът поддържа ефективния и бездефектен растеж на SiC кристали, допринасяйки за напредъка на високомощни и високочестотни полупроводникови устройства.

VeTek Semiconductor е водещ производител и доставчик наПокритие от танталов карбид, Покритие от силициев карбидиСпециален графитв Китай. Ние отдавна сме се ангажирали да предоставяме модерни технологии и продуктови решения за полупроводниковата индустрия и искрено се надяваме да бъдем ваш дългосрочен партньор в Китай.

Покритие от танталов карбид (TaC).върху микроскопично напречно сечение：

Преглед наиндустриална верига за епитаксия на полупроводникови чипове：