Тръба с покритие от танталов карбид за растеж на кристали

VeTek Semiconductor е водещ производител и иноватор на тръби с покритие от танталов карбид за растеж на кристали в Китай. Ние сме специализирани в керамично покритие от много години. Нашите продукти имат висока чистота и устойчивост на висока температура. Очакваме с нетърпение да станем ваш дългосрочен партньор в Китай.

Изпратете запитване

Описание на продукта

Можете да бъдете сигурни, че купувате персонализирана тръба с покритие от танталов карбид за растеж на кристали от VeTek Semiconductor. Очакваме с нетърпение да си сътрудничим с вас, ако искате да научите повече, можете да се консултирате с нас сега, ние ще ви отговорим навреме!

VeTek Semiconductor предлага тръба с покритие от танталов карбид за растеж на кристали, специално проектирана за растеж на кристали SiC, използвайки метода на физическия транспорт на парите (PVT). Графитните тръби на VeTek Semiconductor се отличават с висока чистота с CVD покритие от танталов карбид, което осигурява оптимална производителност при растеж на кристали SiC. Кристалите SiC, известни като трето поколение полупроводници, притежават огромен потенциал в различни приложения. Чрез използването на нашата тръба с покритие от танталов карбид за растеж на кристали, изследователи и професионалисти от индустрията могат ефективно да оптимизират растежа на SiC и да произвеждат висококачествени кристални бутили от SiC. Независимо дали участвате в научни изследвания или промишлено производство, нашите продукти осигуряват надеждни решения за ефективен растеж на SiC кристали.

Освен графитна тръба с покритие от TaC, VeTek Semiconductor също доставя пръстени с покритие от TaC, тигел с покритие от TaC, порест графит с покритие от TaC, графитен фиксатор с покритие от TaC, водещ пръстен с покритие от TaC, плоча с покритие от TaC танталов карбид, пръстен с покритие от TaC, графитено покритие с покритие от TaC, покритие от TaC парче за пещ за растеж на кристали като по-долу:

PVT метод SiC кристален растеж

Продуктов параметър на тръба с покритие от танталов карбид за растеж на кристали

Физични свойства на TaC покритието
Плътност	14,3 (g/cm³)
Специфична излъчвателна способност	0.3
Коефициент на термично разширение	6.3 10-6/K
Твърдост (HK)	2000 HK
Съпротива	1×10-5 Ohm*cm
Термична стабилност	<2500 ℃
Размерът на графита се променя	-10~-20um
Дебелина на покритието	≥20um типична стойност (35um±10um)

Производителност на вафли след използване на нашите компоненти:

Цех за производство на полупроводници VeTek

Преглед на индустриалната верига за епитаксия на полупроводникови чипове:

Горещи маркери: Тръба с покритие от танталов карбид за растеж на кристали, Китай, производител, доставчик, фабрика, персонализирана, купува, усъвършенствана, издръжлива, произведена в Китай

Продуктов етикет

Свързана категория