Тръба с покритие от танталов карбид за растеж на кристали

VeTek Semiconductor е водещ производител и иноватор на тръби с покритие от танталов карбид за растеж на кристали в Китай. Ние сме специализирани в керамично покритие от много години. Нашите продукти имат висока чистота и устойчивост на висока температура. Очакваме с нетърпение да станем ваш дългосрочен партньор в Китай.

Изпратете запитване

Описание на продукта

Можете да бъдете сигурни, че купувате персонализирана тръба с покритие от танталов карбид за растеж на кристали от VeTek Semiconductor. Очакваме с нетърпение да си сътрудничим с вас, ако искате да научите повече, можете да се консултирате с нас сега, ние ще ви отговорим навреме!

VeTek Semiconductor предлага тръба с покритие от танталов карбид за растеж на кристали, специално проектирана за растеж на кристали SiC, използвайки метода на физическия транспорт на парите (PVT). Графитните тръби на VeTek Semiconductor се отличават с висока чистота с CVD покритие от танталов карбид, което осигурява оптимална производителност при растежа на SiC кристали. Кристалите SiC, известни като трето поколение полупроводници, притежават огромен потенциал в различни приложения. Чрез използването на нашата тръба с покритие от танталов карбид за растеж на кристали, изследователи и професионалисти от индустрията могат ефективно да оптимизират растежа на SiC и да произвеждат висококачествени кристални бутили от SiC. Независимо дали участвате в научни изследвания или промишлено производство, нашите продукти осигуряват надеждни решения за ефективен растеж на SiC кристали.

Освен графитна тръба с покритие от TaC, VeTek Semiconductor също доставя пръстени с покритие от TaC, тигел с покритие от TaC, порест графит с покритие от TaC, графитен фиксатор с покритие от TaC, водещ пръстен с покритие от TaC, плоча с покритие от TaC танталов карбид, пръстен с покритие от TaC, графитено покритие с покритие от TaC, покритие от TaC парче за пещ за растеж на кристали като по-долу:

TaC coated graphite tube

PVT метод SiC Crystal Growth

PVT method SiC Crystal Growth

Продуктов параметър на тръба с покритие от танталов карбид за растеж на кристали

Физични свойства на TaC покритието
Плътност	14,3 (g/cm³)
Специфична излъчвателна способност	0.3
Коефициент на термично разширение	6.3 10^-6/К
Твърдост (HK)	2000 HK
Съпротива	1×10^-5Ом*см
Термична стабилност	<2500 ℃
Размерът на графита се променя	-10~-20um
Дебелина на покритието	≥20um типична стойност (35um±10um)

Производителност на вафли след използване на нашите компоненти

Wafer performance after using our components

Цех за производство на полупроводници VeTek

Veteksemi Tantalum Carbide Coated Tube for Crystal Growth shops

Преглед на индустриалната верига за епитаксия на полупроводникови чипове:

the semiconductor chip epitaxy industry chain

Горещи маркери: Тръба с покритие от танталов карбид за растеж на кристали, Китай, производител, доставчик, фабрика, персонализирана, купува, усъвършенствана, издръжлива, произведена в Китай

Продуктов етикет

Свързана категория