Водещ пръстен с TaC покритие

VeTek Semiconductor е водещ производител и иноватор на водещи пръстени с TaC покритие в Китай. Ние сме специализирани в керамично покритие от много години. Водещите пръстени с TaC покритие се използват предимно за насочване и контрол на въздушния поток, като повишават добива на растеж на единични кристали. Добре дошли да ни попитате за допълнителна информация.

Изпратете запитване

Описание на продукта

Висококачественият водещ пръстен с TaC покритие се предлага от китайския производител VeTek Semiconductor. Купете водещ пръстен с TaC покритие, който е с високо качество директно на ниска цена.

Производителност и характеристики на водещия пръстен с покритие от VeTek Semiconductor TaC:

Устойчивост на висока температура, висока плътност и висока компактност; отлична устойчивост на корозия.

Висока чистота със съдържание на примеси <5PPM.

Химически инертен към амоняк и водородни газове при високи температури; отлична термична стабилност.

Производителност и характеристики на водещия пръстен с покритие от VeTek Semiconductor TaC:

Растеж на кристали.

Епитаксиални реактори от силициев карбид.

Лопатки на газови турбини.

Дюзи, устойчиви на висока температура и окисление.

Описание на продукта:

TaC покритието е високотемпературен материал от следващо поколение, който показва превъзходна термична стабилност в сравнение с SiC. Служи като устойчиво на корозия, окисление и износване покритие, способно да издържа на среда над 2000°C. Широко използван в космическото пространство за компоненти с ултрависока температура, както и в растежа на монокристалите на полупроводници от трето поколение и други области.

Освен графитна тръба с покритие от TaC, VeTek Semiconductor също доставя пръстени с покритие от TaC, тигел с покритие от TaC, порест графит с покритие от TaC, графитен фиксатор с покритие от TaC, водещ пръстен с покритие от TaC, плоча с покритие от TaC танталов карбид, пръстен с покритие от TaC, графитено покритие с покритие от TaC, покритие от TaC парче за пещ за растеж на кристали като по-долу:

PVT метод SiC кристален растеж

Продуктов параметър на водещия пръстен с покритие от TaC

Физични свойства на TaC покритието
Плътност	14,3 (g/cm³)
Специфична излъчвателна способност	0.3
Коефициент на термично разширение	6.3 10-6/K
Твърдост (HK)	2000 HK
Съпротива	1×10-5 Ohm*cm
Термична стабилност	<2500 ℃
Размерът на графита се променя	-10~-20um
Дебелина на покритието	≥20um типична стойност (35um±10um)

Цех за производство на полупроводници VeTek

Преглед на индустриалната верига за епитаксия на полупроводникови чипове:

Горещи маркери: Водещ пръстен с TaC покритие, Китай, производител, доставчик, фабрика, персонализиран, купува, усъвършенстван, издръжлив, произведен в Китай

Продуктов етикет

Свързана категория