CVD TaC покритие Вафлен носител

По време на производствения процес на полупроводници, VeTek Semiconductor’sCVD TaC покритие Вафлен носителе табла, използвана за пренасяне на вафли. Този продукт използва процес на отлагане на химически пари (CVD), за да покрие слой от TAC покритие на повърхността наСубстрат за носител на вафли. Това покритие може значително да подобри устойчивостта на окисляване и корозия на носителя на пластини, като същевременно намалява замърсяването с частици по време на обработката. Той е важен компонент в обработката на полупроводници.

VeTek Semiconductor'sCVD TaC покритие Вафлен носителсе състои от субстрат и aпокритие от танталов карбид (TaC)..

Дебелината на покритията от танталов карбид обикновено е в диапазона от 30 микрона, а TaC има точка на топене до 3880°C, като същевременно осигурява отлична устойчивост на корозия и износване, наред с други свойства.

Основният материал на Carrier е направен от високочист графит илисилициев карбид (SiC), а след това слой от TaC (твърдост по Knoop до 2000 HK) се покрива върху повърхността чрез CVD процес, за да се подобри неговата устойчивост на корозия и механична якост.

CVD TaC покритие Вафлен носител обикновено на VeTek Semiconductorиграе следните роли по време на процеса на носене на пластини:

Зареждане и фиксиране на вафла: Твърдостта на Knoop на танталов карбид е висока до 2000 HK, което може ефективно да осигури стабилната опора на пластината в реакционната камера. В комбинация с добрата топлопроводимост на TaC (топлопроводимостта е около 21 W/mK), може да направи. Повърхността на пластината се нагрява равномерно и поддържа равномерно разпределение на температурата, което спомага за постигане на равномерен растеж на епитаксиалния слой.

Намаляване на замърсяването с частици: Гладката повърхност и високата твърдост на CVD TaC покритията помагат за намаляване на триенето между носителя и пластината, като по този начин намаляват риска от замърсяване с частици, което е ключово за производството на висококачествени полупроводникови устройства.

Високотемпературна стабилност: По време на обработката на полупроводници действителните работни температури обикновено са между 1200°C и 1600°C, а TaC покритията имат точка на топене до 3880°C. В комбинация с ниския си коефициент на топлинно разширение (коефициентът на топлинно разширение е приблизително 6,3 × 10⁻⁶/°C), носителят може да запази своята механична якост и стабилност на размерите при условия на висока температура, предотвратявайки напукване на пластината или деформация от напрежение по време на обработка.

Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section:

Basic physical properties of CVD TaC coating：