Китай Процес на епитаксия на SiC Производител, доставчик, фабрика

Уникалните карбидни покрития на VeTek Semiconductor осигуряват превъзходна защита за графитни части в процеса на SiC епитаксия за обработка на взискателни полупроводникови и композитни полупроводникови материали. Резултатът е удължен живот на графитните компоненти, запазване на стехиометрията на реакцията, инхибиране на миграцията на примеси към епитаксия и приложения за растеж на кристали, което води до повишен добив и качество.

Нашите покрития от танталов карбид (TaC) защитават критичните компоненти на пещта и реактора при високи температури (до 2200°C) от горещ амоняк, водород, силициеви пари и разтопени метали. VeTek Semiconductor разполага с широка гама от възможности за обработка и измерване на графит, за да отговори на вашите персонализирани изисквания, така че можем да предложим платено покритие или пълна услуга, с нашия екип от експертни инженери, готови да проектират правилното решение за вас и вашето конкретно приложение .

Сложни полупроводникови кристали

VeTek Semiconductor може да осигури специални TaC покрития за различни компоненти и носители. Чрез водещия в индустрията процес на нанасяне на покритие на VeTek Semiconductor, покритието TaC може да получи висока чистота, стабилност при висока температура и висока химическа устойчивост, като по този начин подобрява качеството на продукта на кристалните слоеве TaC/GaN) и EPL и удължава живота на критичните компоненти на реактора.

Топлоизолатори

Компоненти за растеж на кристали от SiC, GaN и AlN, включително тигели, зародишни държачи, дефлектори и филтри. Промишлени възли, включително резистивни нагревателни елементи, дюзи, екраниращи пръстени и приспособления за спояване, GaN и SiC епитаксиални CVD реакторни компоненти, включително носители на пластини, сателитни тави, душове, капачки и пиедестали, MOCVD компоненти.

Предназначение:

LED (светлоизлъчващ диод) вафлен носител

ALD (полупроводников) приемник

EPI рецептор (процес на епитаксия на SiC)

Satellite Susceptor с покритие от TaC TaC Coating Suceptor&Ring Части с покритие TaC Части Halfmoon с TaC покритие

Сравнение на SiC покритие и TaC покритие:

	SiC	TaC
Основните функции	Изключително висока чистота, отлична устойчивост на плазма	Отлична стабилност при висока температура (съответствие на процеса при висока температура)
Чистота	>99,9999%	>99,9999%
Плътност (g/cm3)	3.21	15
Твърдост (kg/mm2)	2900-3300	6.7-7.2
Съпротивление [Ωcm]	0,1-15 000	<1
Топлопроводимост (W/m-K)	200-360	22
Коефициент на топлинно разширение (10-6/℃)	4,5-5	6.3
Приложение	Полупроводниково оборудване Керамична приставка (фокусен пръстен, душ слушалка, манекен вафла)	SiC монокристален растеж, Epi, UV LED части за оборудване

View as

Пръстен с три венчелистчета с TaC покритие

VeTek Semiconductor е водещ производител и иноватор на пръстени с три венчелистчета с TaC покритие в Китай. Ние сме специализирани в TaC и SiC покрития от много години. Нашите продукти имат устойчивост на корозия и висока якост. Очакваме с нетърпение да станем ваш дългосрочен партньор в Китай.

Прочетете още Изпратете запитване

Патронник с покритие от танталов карбид

VeTek Semiconductor е водещ производител и иноватор на патронници с покритие от танталов карбид в Китай. Ние сме специализирани в TaC покритие от много години. Нашите продукти имат висока чистота и устойчивост на висока температура до 2000 ℃. Очакваме с нетърпение да станем ваш дългосрочен план партньор в Китай.

Прочетете още Изпратете запитване

Капак с покритие от танталов карбид

VeTek Semiconductor е водещ производител и иноватор на покритие с покритие от танталов карбид в Китай. Ние сме специализирани в TaC и SiC покрития от много години. Нашите продукти имат устойчивост на корозия, висока якост. Очакваме с нетърпение да станем ваш дългосрочен партньор в Китай.

Прочетете още Изпратете запитване

Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon

VeTek Semiconductor е водещ доставчик на персонализиран Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon в Китай, специализиран в модерни материали от много години. Нашият Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon е специално проектиран за SiC епитаксиално оборудване, осигурявайки отлична производителност. Изработен от изключително чист вносен графит, той предлага надеждност и издръжливост. Посетете нашата фабрика в Китай, за да проучите от първа ръка нашия висококачествен Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon.

Прочетете още Изпратете запитване

Горна част на полумесеца с SiC покритие

VeTek Semiconductor е водещ доставчик на персонализирана Upper Halfmoon Part SiC покритие в Китай, специализирана в модерни материали от над 20 години. VeTek Semiconductor Upper Halfmoon Part SiC с покритие е специално проектирано за SiC епитаксиално оборудване, служещо като решаващ компонент в реакционната камера. Изработен от изключително чист графит с полупроводников клас, той осигурява отлична производителност. Каним ви да посетите нашата фабрика в Китай.

Прочетете още Изпратете запитване

Носител на пластини от силициев карбид епитакси

VeTek Semiconductor е водещ персонализиран доставчик на силициев карбид епитакси вафлен носител в Китай. Ние сме специализирани в усъвършенствани материали повече от 20 години. Ние предлагаме силициев карбид епитакси вафлен носител за носене на SiC субстрат, нарастващ SiC епитаксиален слой в SiC епитаксиален реактор. Този носител на пластини от силициев карбид епитакси е важна част с покритие от SiC на полумесец, устойчивост на висока температура, устойчивост на окисление, устойчивост на износване. Приветстваме ви да посетите нашата фабрика в Китай.

Прочетете още Изпратете запитване

<...3 4 5 6 7 >

Като професионален Процес на епитаксия на SiC производител и доставчик в Китай, ние разполагаме със собствена фабрика. Независимо дали имате нужда от персонализирани услуги, които да отговарят на специфичните нужди на вашия регион, или искате да купите усъвършенствани и издръжливи Процес на епитаксия на SiC, произведени в Китай, можете да ни оставите съобщение.