SiC покритие ALD приемник

VeTek SemiconductorSiC покритие ALD приемникиграе жизненоважна роля в отлагането на атомния слой (ALD) процес. Неговият прецизен контрол на температурата, равномерното разпределение на газа, високата химическа устойчивост и отличната топлопроводимост осигуряват равномерност и високо качество на процеса на отлагане на филма. Ако искате да научите повече, можете веднага да се консултирате с нас и ние ще ви отговорим навреме!

Прецизен контрол на температурата:

ALD приемникът с SiC покритие обикновено има система за контрол на температурата с висока точност. Той е в състояние да поддържа еднаква температурна среда през целия процес на отлагане, което е от решаващо значение за осигуряване на еднородност и качество на филма.

Равномерно разпределение на газа:

Оптимизираният дизайн на SiC покритие ALD приемник осигурява равномерното разпределение на газа по време на процеса на отлагане на ALD. Структурата му обикновено включва множество въртящи се или движещи се части за насърчаване на равномерно покритие на реактивните газове по цялата повърхност на пластината.

Висока химическа устойчивост:

Тъй като ALD процесът включва различни химически газове, SiC покритието на ALD ток обикновено е направено от устойчиви на корозия материали (като платина, керамика или кварц с висока чистота), за да устои на ерозията на химическите газове и влиянието на среда с висока температура.

Отлична топлопроводимост:

С цел ефективно провеждане на топлина и поддържане на стабилна температура на отлагане, SiC покритие ALD фиксатори обикновено използват материали с висока топлопроводимост. Това помага да се избегне локално прегряване и неравномерно отлагане.

Основни физични свойства на CVD SiC покритие:

Производствени цехове:

Преглед на индустриалната верига за епитаксия на полупроводникови чипове：