Хоризонтален носител за пластини от SiC

VeTek Semiconductor'sХоризонтален носител за пластини от SiC/Boat има изключително висока точка на топене (около 2700°C), което позволяваХоризонтален носител за пластини от SiC/Лодка за стабилна работа в среда с висока температура без деформация или деградация. Тази характеристика е особено важна в процеса на производство на полупроводници, особено в процеси като високотемпературно отгряване или химическо отлагане на пари (CVD).

TheХоризонтален носител на пластини от SiC/Лодката конкретно играе следните роли в процеса на пренасяне на носители за вафли:

Носене и поддръжка на силиконова пластина: Хоризонталната лодка за вафли от SiC се използва главно за носене и поддържане на силициеви вафли по време на производството на полупроводници. Той може стабилно да подреди множество силициеви пластини заедно, за да гарантира, че те остават в добра позиция и стабилност по време на целия процес на обработка.

Равномерно отопление и охлаждане: Благодарение на високата топлопроводимост на SiC, Wafer Boat може ефективно да разпределя топлината равномерно към всички силиконови пластини. Това спомага за постигане на равномерно нагряване или охлаждане на силициевите пластини по време на високотемпературна обработка, осигурявайки последователност и надеждност на процеса на обработка.

Предотвратете замърсяване: Химическата стабилност на SiC му позволява да работи добре в среди с висока температура и корозивни газове, като по този начин намалява излагането на силициевите пластини на възможни замърсители или реагенти, гарантирайки чистотата и качеството на силициевите пластини.

Всъщност хоризонталната SiC вафлена лодка може да играе горната роля поради своите уникални продуктови характеристики:

Отлична химическа стабилност: SiC материалът има отлична устойчивост на корозия към различни химически среди. В процеса на обработка на корозивни газове или течности, SiC Wafer Boat може ефективно да устои на химическа корозия и да предпази силициевите пластини от замърсяване или повреда.

Висока топлопроводимост: Високата топлопроводимост на SiC спомага за равномерното разпределение на топлината в процеса на носител и намалява натрупването на топлина. Това може да подобри точността на контрола на температурата по време на прецизна обработка и да осигури равномерно нагряване или охлаждане на силициевите пластини.

Нисък коефициент на топлинно разширение: Ниският коефициент на топлинно разширение на SiC материала означава, че промяната на размерите на SiC Wafer Boat е много малка по време на температурни промени. Това помага да се поддържа стабилността на размерите по време на високотемпературна обработка и предотвратява деформация или позиционно изместване на силициеви пластини, причинено от термично разширение.

Основни физични свойства на хоризонталния носител на пластини от SiC:

Цех за производство на полупроводници VeTek:

Преглед на индустриалната верига за епитаксия на полупроводникови чипове: