У дома > Продукти > Покритие от силициев карбид

Китай Покритие от силициев карбид Производител, доставчик, фабрика

VeTek Semiconductor е специализирана в производството на продукти с изключително чисто покритие от силициев карбид, тези покрития са предназначени за нанасяне върху пречистен графит, керамика и огнеупорни метални компоненти.

Нашите покрития с висока чистота са предназначени предимно за употреба в полупроводниковата и електронната промишленост. Те служат като защитен слой за носители на пластини, фиксатори и нагревателни елементи, като ги предпазват от корозивни и реактивни среди, срещащи се в процеси като MOCVD и EPI. Тези процеси са неразделна част от обработката на пластини и производството на устройства. Освен това, нашите покрития са много подходящи за приложения във вакуумни пещи и нагряване на проби, където се срещат среди с висок вакуум, реактивни и кислородни среди.

Във VeTek Semiconductor ние предлагаме цялостно решение с нашите усъвършенствани възможности за машинен цех. Това ни позволява да произвеждаме базовите компоненти с помощта на графит, керамика или огнеупорни метали и да нанасяме вътрешни SiC или TaC керамични покрития. Ние също така предоставяме услуги за нанасяне на покрития на части, доставени от клиента, като гарантираме гъвкавост за посрещане на различни нужди.

Нашите продукти със силициево-карбидно покритие се използват широко в Si епитаксия, SiC епитаксия, MOCVD система, RTP/RTA процес, процес на ецване, процес на ецване ICP/PSS, процес на различни типове LED, включително сини и зелени LED, UV LED и дълбоки UV LED и т.н., който е адаптиран към оборудване от LPE, Aixtron, Veeco, Nuflare, TEL, ASM, Annealsys, TSI и т.н.


Реакторни части, които можем да направим:

Aixtron G5,EPI susceptor,MOCVD susceptor


Покритието от силициев карбид има няколко уникални предимства:

Silicon Carbide Coating several unique advantages


Параметри на VeTek Semiconductor Silicon Carbide Coating:

Основни физични свойства на CVD SiC покритие
Собственост Типична стойност
Кристална структура FCC β фаза поликристална, предимно (111) ориентирана
Плътност 3,21 g/cm³
Твърдост 2500 твърдост по Викерс(500g натоварване)
Размер на зърното 2~10 μm
Химическа чистота 99,99995%
Топлинен капацитет 640 J·kg-1·K-1
Температура на сублимация 2700 ℃
Якост на огъване 415 MPa RT 4-точков
Модулът на Йънг 430 Gpa 4pt огъване, 1300 ℃
Топлопроводимост 300W·m-1·K-1
Термично разширение (CTE) 4.5×10-6K-1

SEM data and structure of CVD SIC films


View as  
 
Като професионален Покритие от силициев карбид производител и доставчик в Китай, ние разполагаме със собствена фабрика. Независимо дали имате нужда от персонализирани услуги, които да отговарят на специфичните нужди на вашия регион, или искате да купите усъвършенствани и издръжливи Покритие от силициев карбид, произведени в Китай, можете да ни оставите съобщение.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept