- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Новини от индустрията
Съобщава се, че китайски компании разработват 5nm чипове с Broadcom!
Според чуждестранни новини два източника разкриха на 24 юни, че ByteDance работи с американската компания за дизайн на чипове Broadcom за разработване на усъвършенстван изчислителен процесор с изкуствен интелект (AI), който ще помогне на ByteDance да осигури адекватна доставка на чипове от висок кла......
Прочетете още
Sanan Optoelectronics Co., Ltd.: 8-инчовите SiC чипове се очаква да бъдат пуснати в производство през декември!
Като водещ производител в индустрията на SiC, свързаната динамика на Sanan Optoelectronics получи широко внимание в индустрията. Наскоро Sanan Optoelectronics разкри серия от най-нови разработки, включващи 8-инчова трансформация, ново фабрично производство на субстрат, създаване на нови компании, дъ......
Прочетете още
Приложение на графитни части с TaC покритие в монокристални пещи
При растежа на монокристали SiC и AlN с помощта на метода на физическия транспорт на парите (PVT), решаващи компоненти като тигела, зародишния държач и водещия пръстен играят жизненоважна роля. Както е показано на Фигура 2 [1], по време на PVT процеса зародишният кристал е позициониран в областта с ......
Прочетете още
Различни технически пътища на пещ за епитаксиален растеж на SiC
Субстратите от силициев карбид имат много дефекти и не могат да се обработват директно. Специфичен монокристален тънък филм трябва да бъде отгледан върху тях чрез епитаксиален процес, за да се направят чипове. Този тънък филм е епитаксиалният слой. Почти всички устройства от силициев карбид са реали......
Прочетете още
Материал от силициев карбид епитаксия
Материалът на епитаксиалния слой от силициев карбид е силициев карбид, който обикновено се използва за производство на високомощни електронни устройства и светодиоди. Той се използва широко в полупроводниковата индустрия поради отличната си термична стабилност, механична якост и висока електропровод......
Прочетете още
