Производство на чипове: процес на MOSFET

Процесът на производство на чипове включва фотолитография,офорт, дифузия, тънък филм, йонна имплантация, химическо механично полиране, почистване и т.н. Тази статия грубо обяснява как тези процеси се интегрират последователно за производството на MOSFET.

1. Първо имаме aсубстратс чистота на силиций до 99,9999999%.

2. Отгледайте слой от оксиден филм върху силициевия кристален субстрат.

3. Равномерно нанесете фоторезист.

4.Фотолитографията се извършва чрез фотомаска за прехвърляне на шаблона върху фотомаската върху фоторезиста.

5. Фоторезистът във фоточувствителната зона се отмива след проявяване.

6. Отстранете оксидния филм, който не е покрит от фоторезиста чрез ецване, така че фотолитографският модел да се прехвърли върхувафла.

7. Почистете и отстранете излишния фоторезист.

8. Нанесете друг разредителоксиден филм. След това, чрез горната фотолитография и ецване, се запазва само оксидният филм в областта на вратата.

9. Отгледайте върху него слой полисилиций

10. Както в стъпка 7, използвайте фотолитография и ецване, за да запазите само полисилиция върху оксидния слой на вратата.

11. Покрийте оксидния слой и вратата чрез фотолитографско почистване, така че цялата пластина да ейонно имплантирани, и ще има източник и изтичане.

12. Поставете слой изолиращо фолио върху вафлата.

13. Гравирайте контактните отвори на източника, гейта и дренажа чрез фотолитография и ецване.

14. След това поставете метал в гравираната зона, така че да има проводими метални проводници за източника, гейта и дренажа.

И накрая, пълен MOSFET се произвежда чрез комбинация от различни процеси.

Всъщност долният слой на чипа е съставен от голям брой транзистори.

Производствена схема на MOSFET, сорс, гейт, дрейн

Различни транзистори образуват логически порти

Логическите порти образуват аритметични единици

И накрая, това е чип с размер на нокът