MOCVD LED Epi Susceptor

VeTek Semiconductor’sMOCVD LED Epi Susceptorе основен компонент. В процеса на подготовка на полупроводникови устройства,MOCVD LED Epi Susceptorе не само проста платформа за нагряване, но и инструмент за прецизен процес, който има дълбоко въздействие върху качеството, скоростта на растеж, еднородността и други аспекти на тънкослойните материали.

Специфичните употреби наMOCVD LED Epi Susceptorв обработката на полупроводници са както следва:

Подгряване на субстрата и контрол на равномерността:

MOCVD Epitaxy Susceptor се използва за осигуряване на равномерно нагряване, за да се осигури стабилна температура на субстрата по време на епитаксиален растеж. Това е от съществено значение за получаване на висококачествени полупроводникови филми и осигуряване на постоянство в дебелината и кристалното качество на епитаксиалните слоеве през субстрата.

Поддръжка за реакторни камери за химическо отлагане на пари (CVD).:

Като важен компонент в CVD реактора, Susceptor поддържа отлагането на метални органични съединения върху субстрати. Той помага за точното превръщане на тези съединения в твърди филми, за да се образуват желаните полупроводникови материали.

Насърчаване на разпределението на газ:

Дизайнът на Susceptor може да оптимизира разпределението на потока на газовете в реакционната камера, като гарантира, че реакционният газ контактува равномерно със субстрата, като по този начин подобрява еднородността и качеството на епитаксиалните филми.

Можете да бъдете сигурни, че купувате персонализираниMOCVD LED Epi Susceptorот нас, очакваме с нетърпение да си сътрудничим с вас. Ако искате да научите повече информация, можете да се консултирате с нас веднага и ние ще ви отговорим навреме!

Основни физични свойства на CVD SiC покритие:

Производствени цехове:

Преглед на индустриалната верига за епитаксия на полупроводникови чипове：