Тигел за монокристален силиций

При метода CZ (Czochralski) единичен кристал се отглежда чрез поставяне на монокристално семе в контакт с разтопен поликристален силиций. Семената се изтеглят постепенно нагоре, докато се въртят бавно. В този процес се използват значителен брой графитни части, което го прави методът, който използва най-голямо количество графитни компоненти в производството на силициеви полупроводници.

Картината по-долу предоставя схематично представяне на силициева монокристална производствена пещ, базирана на CZ метода.

Тигелът за монокристален силиций на Vetek Semiconductor осигурява стабилна и контролирана среда, която е от решаващо значение за прецизното образуване на полупроводникови кристали. Те играят важна роля в отглеждането на монокристални силициеви слитъци, използвайки усъвършенствани техники като процеса на Чохралски и методите на плаващата зона, които са жизненоважни за производството на висококачествени материали за електронни устройства.

Проектирани за изключителна термична стабилност, устойчивост на химическа корозия и минимално термично разширение, тези тигели осигуряват издръжливост и здравина. Те са проектирани да издържат на сурови химически среди, без да нарушават структурната цялост или производителност, като по този начин удължават живота на тигела и поддържат постоянна производителност при продължителна употреба.

Уникалният състав на Vetek Semiconductor Crucibles за монокристален силиций им позволява да издържат на екстремни условия на високотемпературна обработка. Това гарантира изключителна термична стабилност и чистота, които са критични за обработката на полупроводници. Съставът също така улеснява ефективния пренос на топлина, насърчавайки равномерна кристализация и минимизирайки термичните градиенти в силициевата стопилка.

Предимства на нашия SiC Coating Susceptor:

Защита на основния материал: CVD SiC покритието действа като защитен слой по време на епитаксиалния процес, като ефективно предпазва основния материал от ерозия и щети, причинени от външната среда. Тази защитна мярка значително удължава експлоатационния живот на оборудването.

Отлична топлопроводимост: Нашето CVD SiC покритие притежава изключителна топлопроводимост, като ефективно пренася топлината от основния материал към повърхността на покритието. Това подобрява ефективността на управление на топлината по време на епитаксия, осигурявайки оптимални работни температури за оборудването.

Подобрено качество на филма: CVD SiC покритието осигурява равна и равномерна повърхност, създавайки идеална основа за растеж на филма. Той намалява дефектите в резултат на несъответствие на решетката, подобрява кристалността и качеството на епитаксиалния филм и в крайна сметка подобрява неговата производителност и надеждност.

Изберете нашия SiC Coating Susceptor за вашите нужди за производство на епитаксиални пластини и се възползвайте от подобрена защита, превъзходна топлопроводимост и подобрено качество на филма. Доверете се на иновативните решения на VeTek Semiconductor, за да стимулирате успеха си в индустрията на полупроводниците.

Производствени цехове:

Преглед на индустриалната верига за епитаксия на полупроводникови чипове: